光刻胶

AZ nLOF 2000系列光刻胶

AZ nLOF 2000系列光刻胶:热稳定负性光刻胶

AZ®nLOF 2000系列光刻胶热稳定负性光刻胶

AZ nLOF光刻胶型号:

光刻胶型号

光刻胶厚度(转速3000rpm

UV-灵敏度

包装规格

AZ ® nLOF 2020

2μm

 i线(365nm)敏感,对g线或h线不敏感

多种包装规格,1L2.5L1加仑等

AZ ® nLOF 2035

3.5μm

AZ ® nLOF 2070

7μm

 

AZ®nLOF 2000系列负性光刻胶,通过可调节的方式显影后使暴露的光刻胶保留下来。负轮廓及其高软化点使AZ®nLOF 2000成为适用于剥离工艺以及其他任何需要具有高的热稳定性光刻胶结构的工艺。

AZ nLOF光刻胶特性:

1.极高的热稳定性:在250°C或更高的温度下,交联的光刻胶图形几乎没有变形;

2.高度的化学稳定性:AZ®nLOF 2000对许多有机溶剂和强碱性介质都是稳定的(然而,对KOHSi刻蚀不稳定)

3.AZ®nLOF 2000的电子束灵敏度可将快紫外和高分辨率电子束光刻技术结合起来。

显影液

建议使用AZ ®326MIF显影液,AZ®726 MIFAZ ® 826 MIF显影液。使用其他显影液则可能会由于热或光学诱导光刻胶表面发生交联从而阻止显影过程。

去胶剂

推荐用于AZ®nLOF 2000光刻胶的去胶剂是不含NMPTechniStrip NI555,它与所有常见的基材兼容,甚至可以溶解交联的AZ®nLOF 2070光刻胶膜 

如果光刻胶膜的厚度和交联度不太高,则NMP或无毒替代品DMSO也可作为去胶剂;

通常,在非常厚或强烈交联的光刻胶膜的情况下,可能需要将这些去除剂加热至60-80°C,或进行超声波处理,以加快去胶速度。


非常高的热稳定性:几乎没有交联的抗蚀剂图案的圆形,温度高达250°C或更高。

高的化学稳定性:工艺参数依赖,AZ ® nLOF 2000是针对多种有机溶剂以及强碱性介质中稳定(但是,不是针对KOH的Si-蚀刻稳定!)。

对电子束的灵敏度的的AZ ® nLOF 2000抗蚀剂允许fastUV和高分辨率电子束光刻的组合。

AZ ® nLOF 2020:薄膜厚度为2μm@ 3000rpm下

AZ ® nLOF 2035:薄膜厚度为3.5μm@ 3000rpm下

AZ ® nLOF 2070:薄膜厚度为7μm@ 3000rpm下(AZnlf2070 AZ400K 1:3兑水

UV-灵敏度: i线(365nm)下,不对g或h线敏感