光刻胶

AZ 5214E 光刻胶

AZ5214E高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶,特别为lift-off工艺优化。AZ5214E匀胶厚度1.5μm~3μm

AZ5214E高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶,特别为lift-off工艺优化。AZ5214E匀胶厚度1.5μm~3μm,AZ5200E系列匀胶厚度为:0.5μm~6μm。

AZ5214E特征:

1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺);

2) 适用于正/负图形;

3) 很宽的膜厚范围。

AZ 5200E系列光刻胶参考工艺条件:

前烘 :100℃ 60秒 (DHP);

曝光 :I线步进式曝光机/接触式曝光机;

反转烘烤 :110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒;

全面曝光 :310~405nm

 (在曝光光源下全面照射);

显影 :AZ300MIF (2.38%) 23℃ 30~60秒Puddle;

 :AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping;

 :AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping;

清洗 :去离子水30秒;

后烘 :120℃ 120秒 (DHP);

剥离 :AZ剥离液及/或氧等离子体灰化;

产品型号:

型号

AZ5206E

AZ5214E

AZ5218E

AZ5200NJ

粘性

7mPa

25mPa

40mPa

85mPa