AZ 5214E 光刻胶

AZ5214E高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶，特别为lift-off工艺优化。AZ5214E匀胶厚度1.5μm~3μm，AZ5200E系列匀胶厚度为：0.5μm~6μm。

AZ5214E特征：

1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺)；

2) 适用于正/负图形；

3) 很宽的膜厚范围。

AZ 5200E系列光刻胶参考工艺条件：

前烘 ：100℃ 60秒 (DHP)；

曝光 ：I线步进式曝光机/接触式曝光机；

反转烘烤 ：110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒；

全面曝光 ：310~405nm

 (在曝光光源下全面照射)；

显影 ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 30~60秒Puddle；

 ：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping；

 ：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping；

清洗 ：去离子水30秒；

后烘 ：120℃ 120秒 (DHP)；

剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化；

产品型号：