AZ P4620 正性光刻胶

       AZ P4620光刻胶膜厚范围约 6-20 µm。AZP4620超厚膜，高对比度，高感光度G线标准正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造。

1、AZ ® P4000正性光刻胶系列有一下主要特点：

· 改善了对所有常见基材的附着力，从而具有更高的稳定性，如湿法蚀刻或电镀

· 较低的光敏化合物浓度，可以涂覆较厚的抗蚀剂膜（约3-30 µm）

· 陡壁轮廓，高纵横比

· 对g线，h线和i线敏感

· 建议显影液：KOH基（如AZ ®400K）或TMAH基（如AZ®826 MIF）显影液

· （如AZ ®100去胶剂，TechniStrip P1316）

· 稀释剂和边缘去胶剂：AZ® EBR溶剂 = PGMEA

2、AZ P4620正性光刻胶基本特征：

1) 高对比度，高感光度

2) 高附着性，对电镀工艺高耐受性

3) 多种粘度可供选择

3、AZ P4620正性光刻胶参考工艺条件：

前烘 ：100℃ 90秒以上 (DHP)

曝光 ：G线步进式曝光机/接触式曝光系统

显影 ：AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒

清洗 ：去离子水

后烘 ：120℃ 60秒以上

剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

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