AZ P4620 光刻胶

AZP4620超厚膜，高对比度，高感光度G线标准正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造。

特征：

1) 高对比度，高感光度

2) 高附着性，对电镀工艺高耐受性

3) 多种粘度可供选择

参考工艺条件：

前烘 ：100℃ 90秒以上 (DHP)

曝光 ：G线步进式曝光机/接触式曝光系统

显影 ：AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒

清洗 ：去离子水

后烘 ：120℃ 60秒以上

剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

产品型号：