AZ P4620 光刻胶
AZP4620超厚膜,高对比度,高感光度G线标准正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。
AZP4620超厚膜,高对比度,高感光度G线标准正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。
AZP4620超厚膜,高对比度,高感光度G线标准正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。
特征:
1) 高对比度,高感光度
2) 高附着性,对电镀工艺高耐受性
3) 多种粘度可供选择
参考工艺条件:
前烘 :100℃ 90秒以上 (DHP)
曝光 :G线步进式曝光机/接触式曝光系统
显影 :AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒
清洗 :去离子水
后烘 :120℃ 60秒以上
剥离 :AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
产品型号:
型号 | AZ P4210 | AZ P4330 | AZ P4400 | AZ P4620 | AZ P4903 |
粘性 | 49mPa | 115mPa | 160mPa | 400mPa | 1550mPa |