光刻胶

AZ 4562/AZ 4533 光刻胶

AZ ® 4500系列(AZ ® 4533和AZ ® 4562)是正性厚光刻胶

AZ®4500系列

具有最佳粘附力的厚光刻胶

特点:

AZ ® 4500系列AZ ® 4533AZ ® 4562)是正性厚光刻胶,在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能:

l  优化对所有常见基材的附着力

l  宽广的工艺参数窗口,可实现稳定且可重复的光刻工艺

l  与所有常见的显影液兼容(基于KOHTMAH

l  与所有常见的去胶剂兼容(例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂)

l  ghi线敏感(约320-440 nm

l  光刻胶厚度范围约 3-30微米


A® 4500系列AZ ® 4533AZ ® 4562的溶剂浓度不同,因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围:

光刻胶型号

光刻胶膜厚范围

包装规格

AZ ® 4533

转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 µm;通过改变转速,膜后可达2.5-5 µm

多规格包装,如1L2.5L

AZ ® 4562

转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 µm;通过改变转速,膜后可达4.5-10 µm;调整旋转轮廓(中等旋涂速度下短时间旋涂),可达30 µm膜厚。

多规格包装,如1L2.5L


若光刻胶膜厚度 30 µm?

通常,AZ®4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而,在该厚度范围内,软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外,如果涂得太厚,AZ®4562也可能在曝光期间形成N2气泡。 因此,对于厚度大于30 µm的光刻胶膜厚度,强烈建议使用化学放大的AZ®40 XT光刻胶。

显影液——适用于AZ ® 4500光刻胶

如果可以使用含金属离子的显影液,可使用14稀释的KOHAZ®400K作为显影液(对于更高的光刻胶膜厚度,可用13.5 - 11的稀释浓度)。

如果必须使用不含金属离子的显影液,我们建议使用基于TMAH基的AZ®326 MIFAZ®726 MIFAZ®826 MIF显影剂(未稀释)。

 

去胶剂——适用于AZ ® 4500光刻胶

对于非交联的光刻胶薄膜,可以使用AZ®100作为去胶剂,DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果光刻胶膜已交联(例如,在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时,> 140°C的高温步骤时),我们建议使用不含NMPTechniStrip P1316作为去胶剂。

AZ4562光刻胶

A® 4500系列AZ ® 4533AZ ® 4562的溶剂浓度不同,因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围:

光刻胶型号

光刻胶膜厚范围

包装规格

AZ ® 4533

转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 µm;通过改变转速,膜后可达2.5-5 µm

多规格包装,如1L2.5L

AZ ® 4562

转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 µm;通过改变转速,膜后可达4.5-10 µm;调整旋转轮廓(中等旋涂速度下短时间旋涂),可达30 µm膜厚。

多规格包装,如1L2.5L



A® 4500系列AZ ® 4533AZ ® 4562的溶剂浓度不同,因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围:

光刻胶型号

光刻胶膜厚范围

包装规格

AZ ® 4533

转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 µm;通过改变转速,膜后可达2.5-5 µm

多规格包装,如1L2.5L

AZ ® 4562

转速为4000 rpm时,膜厚约为3.3 µm;通过改变转速,膜后可达4.5-10 µm;调整旋转轮廓(中等旋涂速度下短时间旋涂),可达30 µm膜厚。

多规格包装,如1L2.5L