AZ 1500系列正性光刻胶
AZ 1500系列光刻胶在所有常见的湿法蚀刻工艺中均可改善附着力，其横向分辨率取决于光刻胶的厚度，可达到亚微米级。
安智AZ 1500系列正性光刻胶（湿法刻蚀正性薄胶）
AZ ® 1500系列光刻胶在所有常见的湿法蚀刻工艺中均可改善附着力，其横向分辨率取决于光刻胶的厚度，可达到亚微米级。
光刻胶性能：
>改善所有常见基材附着力
>宽广的工艺参数窗口，可实现稳定、可重复的光刻工艺
>显影速度快
>与所有常见的显影剂兼容（基于NaOH，KOH或TMAH）
>与所有常见的剥离剂兼容（例如与AZ 100去除剂，有机溶剂或碱性溶液）
>对g，h和i线敏感（约320-440 nm）
>抗蚀膜厚度范围约 0.5-3微米
AZ®1500系列的胶在溶剂浓度，光活性化合物含量以及湿法蚀刻领域的应用方面各有所不同：
光刻胶型号 | 特点 | 包装规格 |
AZ ® 1505 | AZ®1505的高分辨率和附着力使这种光刻胶成为光掩模生产中蚀刻Cr的常用光刻胶。4000 U / min的转速时，光刻胶膜厚度约为500 nm；通过转速的变化，膜厚可达400-800 nm。 | 500ml、1L、5L等多规格包装 |
AZ ® 1512 HS | 最高分辨率。AZ®1512 HS的光敏化合物浓度非常高，可以最大程度地提高光刻胶的分辨率（显影速度快，减少了暗蚀）。 4000 U / min的转速时，光刻胶膜厚度约为1.2 µm；通过控制旋转速度的变化，膜厚可以达1.0-1.8 µm。 | 500ml、1L、5L等多规格包装 |
AZ ® 1514H | 优良的附着性能。特殊的树脂可以进一步提高光刻胶在大多数基板上的附着力。 转速4000 U / min时，光刻胶膜厚度约1.4 µm；通过旋转速度的变化，膜厚可达1.1-2 µm。 | 500ml、1L、5L等多规格包装 |
AZ ® 1518
| 稳定的湿法蚀刻工艺。AZ®1518的光刻胶膜厚度增加，可提高湿法蚀刻工艺中的光刻胶掩模结构的稳定性。 转速4000 U / min时，光刻胶膜厚约1.8 µm，通过改变旋转速度，厚度可达1.5-3 µm。 | 500ml、1L、5L等多规格包装 |
AZ ® 1518 HS | AZ®1518 HS的特点是附着力大大提高，显影速度非常快。 转速4000 U / min，光刻胶膜厚约为1.8 µm，通过改变旋转速度，膜厚可达1.45-2.5 µm。
| 5L |
AZ ® 1529
| AZ®1500抗蚀剂的高光敏化合物浓度使其难以曝光厚度超过3 µm的光刻胶膜，否则可能会形成N2气泡。 对于厚度超过3 µm的光刻胶膜厚度范围，我们建议使用AZ®4533或AZ®ECI 3027。
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AZ1500系列光刻胶显影液：
如果可以使用含金属离子的显影液，推荐使用1：4稀释的NaOH基AZ®351B（分辨率要求<1 µm时，推荐使用 1：5 ... 1：6稀释浓度）。
可以使用基于KOH的AZ®400K（也可以用1：4 — 1：6的比例稀释），但是，其选择性能较低，如果需要高分辨率或陡峭的光刻胶侧壁图案，则不建议使用。
如果必须使用不含金属离子的显影液，建议使用未稀释的基于TMAH的AZ®326 MIF或AZ®726 MIF显影液。
去胶剂：
对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用AZ®100去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果抗蚀剂膜已交联（例如，干法蚀刻等离子工艺或离子注入工艺中 >140°C的高温步骤），我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。