AZ 10XT正型光刻胶
AZ 10XT光刻胶应用于电镀工艺的超厚膜,高分辨率I线正型光刻胶。超厚膜,高分辨率,高纵宽比I线正型光刻胶,适用于微电镀工艺。AZ 10XT匀胶厚度约5~16微米
AZ 10XT光刻胶应用于电镀工艺的超厚膜,高分辨率I线正型光刻胶。超厚膜,高分辨率,高纵宽比I线正型光刻胶,适用于微电镀工艺。AZ 10XT匀胶厚度约5~16微米
AZ 10XT光刻胶应用于电镀工艺的超厚膜,高分辨率I线正型光刻胶。超厚膜,高分辨率,高纵宽比I线正型光刻胶,适用于微电镀工艺。AZ 10XT匀胶厚度约5~16微米
AZ 10XT光刻胶产品特点:
1) 高分辨率,高纵宽比
2) 高附着性,对电镀工艺高耐受性
3) 多种粘度可供选择
AZ 10XT光刻胶参考工艺:
前烘 :100℃ 90秒以上 (DHP)
曝光 :I线步进式曝光机/接触式曝光系统
显影 :AZ400K显影液(1:4) 23℃ 60~300秒 Dip :
AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒
清洗 :去离子水
后烘 :120℃ 60秒以上
剥离 :AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
AZ 10XT光刻胶型号:AZ 10XT(220cP)、10XT(520cP)