硅片

氧化硅片

二氧化硅片(silicon oxide wafer)是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜,用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化

二氧化硅片是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜,用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化。提供硅片单面/双面抛光、减薄、切割、MEMS等加工和定制服务。如果您有硅片需求,请与我们进一步沟通。

氧化硅片产品规格参数:

直径(Diameter)

2"-8”

掺杂(Dopant)

N(P、As、Sb),P(B)

晶向(Orientations) 

(100),(110),(111)

总厚度(Thickness)

250 - 600 μm,可按客户要求定制

氧化层厚度

50nm ~ 2000nm(常规100nm,200nm,300nm,500nm,1000nm)可按客户要求定制

电阻率(Resistivity) 

0.001-50(Ω•cm) ,可按客户要求定制

平整度(TIR)

<3μm

翘曲度(TTV)

<10μm

弯曲度(BOW)

<10μm

表面粗糙度(Surface Roughness)

<0.5nm

表面处理(Surface Finish)

单抛/双抛/研磨

 

注:如在以上产品规格中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息,敬请联系我们!