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    纳米压印胶

    • 型号
    • 品牌
    • 类型
    • 匀胶厚度

    纳米压印胶

    1. 详细信息

    纳米压印胶

    1

     

    品牌

    产地

    型号

    特点

    Micro Resist

    德国

    mr-I 7000E系列


    Tg = 60℃

    优异的成膜质量

    由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间

    压印温度125 - 150℃,压印压力20 - 50 bar

    Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA

    可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

    mr-I 8000E系列


    Tg = 115℃

    优异的成膜质量

    由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间

    压印温度170 - 190℃,压印压力20 - 50 bar

    Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA

    可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

    mr-I PMMA 35k/75k系列


    Tg = 105℃

    优异的成膜质量

    低分子量从而实现高效的流动性

    压印温度150 - 180℃,压印压力50 bar

    可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

    mr-I T85系列


    Tg = 85℃

    优异的成膜质量

    压印温度140 - 170℃,压印压力大于5 bar

    Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶

    非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率,高化学稳定性

    可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

    mr-I 9000E系列


    热固化之前Tg = 35℃

    优异的成膜质量
    接近等温加工处理
    n 压印温度120℃
    n 脱模温度100℃
    压印时温度从Tg到Tg,Cured增加并固化
    非常低的残余胶层厚度低至5 nm
    Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶
    可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

    mr-NIL 6000系列


    光化学固化之前Tg = 40℃

    优质的固体光胶薄膜

    接近等温加工处理:压印、紫外曝光固化,压印与脱模在同一温度下进行

    非常低的残余胶层厚度低至10 nm

    图案转移时高保真度

    Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶
    可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
    宽带或i线曝光

    mr-UVCur06


    旋涂使用

    优质的成膜质量和胶厚均一性

    室温加工处理

    由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间

    低剂量紫外曝光快速固化

    可获得优于30 nm的分辨率(取决于模版分辨率)

    Plasma刻蚀高阻抗性能

    O2 Plasma刻蚀可无残余去除

    宽带或i线曝光