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    SOI绝缘硅片

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    • 品牌

    SOI绝缘硅片直径4~8英寸

    1. 详细信息

    SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。

    SOI圆片主要有以下特点:

    1.提高运行速度

    在特定的电压下,建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%,这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。

    2.降低能量损耗

    SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗,特别适用于对能量消耗比较高的领域。

    3.改进运行性能

    SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温,对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。

    4.减小封装尺寸

    SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。

    1、直径4~8英寸   

    2、SOI(Bonding)键合型SOI,通常对应顶层硅厚度1um 以上的SOI,(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)

         是把2片生长了氧化层的硅片键合在一起,氧化层成为埋氧层。其中一个硅片腐蚀抛光减薄成为器件的薄硅膜 ,

         另一个硅片作为支撑的衬底。离子注入型SOI,对应通常对应顶层硅厚度1um 以下的SOI,例如顶层硅在220nm,

         340nm等,用户需定义顶层硅、氧化硅、体硅这三种材料的参数。