硅片

SOI绝缘硅片

SOI绝缘硅片直径4~8英寸

SOI(Silicon on Insulator)是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。

SOI圆片主要有以下特点:

1.提高运行速度

在特定的电压下,建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%,这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。

2.降低能量损耗

SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗,特别适用于对能量消耗比较高的领域。

3.改进运行性能

SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温,对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。

4.减小封装尺寸

SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。

1、直径4~8英寸   

2、SOI(Bonding)键合型SOI,通常对应顶层硅厚度1um 以上的SOI,(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)

     是把2片生长了氧化层的硅片键合在一起,氧化层成为埋氧层。其中一个硅片腐蚀抛光减薄成为器件的薄硅膜 ,

     另一个硅片作为支撑的衬底。离子注入型SOI,对应通常对应顶层硅厚度1um 以下的SOI,例如顶层硅在220nm,

     340nm等,用户需定义顶层硅、氧化硅、体硅这三种材料的参数。

SOI绝缘硅片产品规格参数

直径(Diameter)(mm)

76.2、100、125、150、200

器件层厚度(Device Thickness)

100 nm - 200 µm

埋氧层厚度(Oxide Layer Thickness)

100 nm - 10 µm

基底厚度(Handle Wafer Thickness)

300 µm- 775 µm

粘接方式(Bonding Methods)

直接键合、外
延层转移、氧注入

掺杂类型(Dopants)

N-Type/P-Type
B/ P/ Sb / As

总厚度偏差(TTV)(µm )

<3

电阻率(Resistivity )

根据客户需求定制