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    Allresist 正性/负性紫外光刻胶,图像反转胶

    • 型号Photoresist
    • 品牌Allresist
    • 类型紫外光刻胶
    • 匀胶厚度

    德国Allresist紫外光刻胶(Photoresist)可分为:正性光刻胶、图像反转胶、负性光刻胶。可用于光学器件加工,掩膜制作,高集成电路制作,紫外、深紫外曝光,Lift-off工艺,LIGA、电镀等工艺。

    1. 详细信息

    光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC),封装(Packaging),微机电系统(MEMS),光电子器件光子器(Optoelectronics/Photonics),平板显示器(LED,LCD,OLED),太阳能光伏(Solar PV)等领域。

    紫外光刻胶(Photoresist)

    各种工艺:喷涂专用胶,化学放大胶,lift-off胶,图形反转胶,高分辨率胶,LIGA用胶等。

    各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。

    各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。

     

     

    类型

    型号

    特性

    正胶

    AR-P 1200

    适合喷涂(Spray Coating)的正性光刻胶,高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面,可用于复杂工艺。

    AR-P 3100

    高灵敏度光刻胶.胶膜薄且均匀. 在玻璃和镀铬表面附着力好,可用于光学器件加工,掩膜制作等。另有,AR-P 3170 可以做出 100nm,甚至更小的线条(几十纳米)。

    AR-P 3200

    黏度大,可得到厚胶膜,厚度可达几十微米,甚至上百微米。胶膜覆盖能力好,适合粗糙的 Wafer 表面涂胶,可很好的保护结构边缘。图形剖面边缘陡直。适合做LIGA或电镀工艺等。

    AR-P 3500
    AR-P 3500T

    于集成电路制造中的掩膜加工。 高敏感、高分辨率且在金属和氧化物表面附着力好。其中,AR-P 3500T是针对 AR-P 3500 系列进行优化,而新研制的一种光刻胶;性能和AR-P 3500相似,同时还具备了良好的耐等离子刻蚀性能,以及大的工艺宽容度。

    AR-P 3740
    AR-P 3840

    高分辨率光刻胶,制作亚微米结构,适于高集成电路制作。光刻胶表面平整均匀,高敏感度、高对比、工艺宽容度大。 AR-P 3840为染色的光刻胶,可以降低驻波和散射等的影响。

    AR-P 5300

    Lift-off工艺用胶,利用普通的光刻工艺便可很容易得进行剥离工艺。高敏感、高分辨率, 且与金属和氧化物表面附着良好。

    图像反转胶

    AR-U 4000

    图形反转胶,通过调整工艺参数可实现正胶或负胶性能。图形反转工艺后,光刻胶呈现负胶性能,可以得到非常明星的倒梯形结果,用于lift-off工艺。

    负胶

    AR-N 2200

    适合喷涂的负性光刻胶,高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面,可用于复杂工艺。

    AR-N 4240

    紫外、深紫外曝光,可做lift-off工艺。 i线、深紫外曝光。适合制作亚微米图形,专为满足先进集成电路制造中的关键工艺要求而设计。良好的耐等离子体刻蚀性能,在金属和氧化物表面的附着力好,并可用于lift-off工艺。

    AR-N 4340

    化学放大胶,紫外曝光,可做lift-off工艺。 i线、g线曝光。化学放大胶,高灵敏度,高分辨率,高对比度,在金属和氧化物表面附着力好,可用于lift-off工艺。

    AR-N 4400

    厚胶,化学放大胶,可以做lift-off工艺。 i线、g线、深紫外、X-ray、电子束等都可以实现曝光。涂胶厚度从几十微米到上百微米,覆盖能力好,可用于表面粗糙的wafer表面涂覆,且剖面陡直,高分辨率。化学放大胶,灵敏度也非常高。可用于LIGA、电镀等工艺。 采用碱性水溶液显影,除胶非常容易,可以替代传统的SU8胶。

    SX AR-N 4600-10/3 
    SX AR-N 4650-10/4

    紫外负胶(厚胶),适用于LIGAMEMS应用,涂胶厚度 10um@1000rpmSX AR-N 4600-10/3 : 结构稳定性好、重复性好,厚度可达几百微米,适用于永久保留胶体结构的应用,SX AR-N 4650-10/4 : 容易去胶,适合于电铸工艺。

     

    配套试剂
    Process chemicals

     

    类型

    型号

    特性

    显影液

    AR 300-26, -35

    紫外光刻胶用 显影液

    AR 300-44,-46,-47, -475

    紫外/电子束光刻胶用 显影液

    AR 600-50,-51,-55,-56

    PMMA胶用 显影液

    定影液

    AR 600-60,-61

    电子束光刻胶用 定影液

    除胶剂

    AR 300-70, -72, -73,600-70

    紫外/电子束光刻胶用 除胶剂

    稀释剂

    AR 600-01…09

    PMMA胶 稀释剂

    AR 300-12

    紫外/电子束光刻胶用 稀释剂

    增附剂

    AR 300-80, HMDS

    紫外/电子束光刻胶用 增附剂