光刻胶

AZ P4620 光刻胶

AZP4620超厚膜,高对比度,高感光度G线标准正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。

AZP4620超厚膜,高对比度,高感光度G线标准正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。

特征:

1) 高对比度,高感光度

2) 高附着性,对电镀工艺高耐受性

3) 多种粘度可供选择

参考工艺条件:

前烘 :100℃ 90秒以上 (DHP)

曝光 :G线步进式曝光机/接触式曝光系统

显影 :AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒

清洗 :去离子水

后烘 :120℃ 60秒以上

剥离 :AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

产品型号:

型号

AZ P4210

AZ P4330

AZ P4400

AZ P4620

AZ P4903

粘性

49mPa

115mPa

160mPa

400mPa

1550mPa