光刻胶

AZ 1500系列正性光刻胶

AZ 1500系列光刻胶在所有常见的湿法蚀刻工艺中均可改善附着力,其横向分辨率取决于光刻胶的厚度,可达到亚微米级。

安智AZ 1500系列正性光刻胶(湿法刻蚀正性薄胶

AZ ® 1500系列光刻胶在所有常见的湿法蚀刻工艺中均可改善附着力,其横向分辨率取决于光刻胶的厚度,可达到亚微米级。

光刻胶性能:

>改善所有常见基材附着力

>宽广的工艺参数窗口,可实现稳定、可重复的光刻工艺

>显影速度快

>与所有常见的显影剂兼容(基于NaOHKOHTMAH

>与所有常见的剥离剂兼容(例如与AZ 100去除剂,有机溶剂或碱性溶液)

>ghi线敏感(约320-440 nm

>抗蚀膜厚度范围约 0.5-3微米

 

AZ®1500系列的胶在溶剂浓度,光活性化合物含量以及湿法蚀刻领域的应用方面各有所不同:

光刻胶型号

特点

包装规格

AZ ® 1505

AZ®1505的高分辨率和附着力使这种光刻胶成为光掩模生产中蚀刻Cr的常用光刻胶。4000 U / min的转速时,光刻胶膜厚度约为500 nm;通过转速的变化,膜厚可达400-800 nm

500ml1L5L等多规格包装

AZ ® 1512   HS

最高分辨率AZ®1512 HS的光敏化合物浓度非常高,可以最大程度地提高光刻胶的分辨率(显影速度快,减少了暗蚀)。 4000 U / min的转速时,光刻胶膜厚度约为1.2 µm;通过控制旋转速度的变化,膜厚可以达1.0-1.8 µm

500ml1L5L等多规格包装

AZ ® 1514H

优良的附着性能特殊的树脂可以进一步提高光刻胶在大多数基板上的附着力。 转速4000 U / min时,光刻胶膜厚度约1.4 µm;通过旋转速度的变化,膜厚可达1.1-2 µm

500ml1L5L等多规格包装

AZ ® 1518

 

稳定的湿法蚀刻工艺AZ®1518的光刻胶膜厚度增加,可提高湿法蚀刻工艺中的光刻胶掩模结构的稳定性。 转速4000 U / min时,光刻胶膜厚约1.8 µm,通过改变旋转速度,厚度可达1.5-3 µm

500ml1L5L等多规格包装

AZ ® 1518   HS

AZ®1518 HS的特点是附着力大大提高,显影速度非常快。 转速4000 U / min,光刻胶膜厚约为1.8 µm,通过改变旋转速度,膜厚可达1.45-2.5 µm

 

5L

AZ ® 1529

 

AZ®1500抗蚀剂的高光敏化合物浓度使其难以曝光厚度超过3 µm的光刻胶膜,否则可能会形成N2气泡。 对于厚度超过3 µm的光刻胶膜厚度范围,我们建议使用AZ®4533AZ®ECI 3027

 

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AZ1500系列光刻胶显影液:

如果可以使用含金属离子的显影液,推荐使用14稀释的NaOHAZ®351B(分辨率要求<1 µm时,推荐使用 15 ... 16稀释浓度)。

可以使用基于KOHAZ®400K(也可以用14 — 16的比例稀释),但是,其选择性能较低,如果需要高分辨率或陡峭的光刻胶侧壁图案,则不建议使用。

如果必须使用不含金属离子的显影液,建议使用未稀释的基于TMAHAZ®326 MIFAZ®726 MIF显影液。

去胶剂

对于非交联的光刻胶薄膜,可以使用AZ®100去胶剂,DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果抗蚀剂膜已交联(例如,干法蚀刻等离子工艺或离子注入工艺中 >140°C的高温步骤),我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。