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    美国ABM正面对准光刻机

    • 型号美国ABM正面对准光刻机
    • 品牌

    美国ABM正面对准光刻机设备型号:ABM/6/350/NUV/DCCD/M

    1. 详细信息

    美国ABM正面对准光刻机

    美国ABM正面对准光刻机

    美国ABM正面对准光刻机设备型号:ABM/6/350/NUV/DCCD/M

    光学系统:

     曝光时间调解器:0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)
    365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环;
     声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标;
     有安全保护装置的温度及其气流传感器;
    全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度;
      波长滤片检查及安装装置
     抗衍射反射功能高效反光镜;
    二向色的防热透镜装置;
     防汞灯泄漏装置;
     配备蝇眼棱镜装置
     配备近紫外光源,
        --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
        --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
        --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
        --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

    主要配置:

     6“,8”光源系统 
     可支持2“,3”,4“,6”,8“(圆/方片)及碎片光刻(支持特殊工艺卡盘设计)
    手动系统,半自动系统,
     支持电源350-2000 Watt
    支持深紫外近紫外波长(可选项)
     CCD或显微镜对准系统

    主要性能指标:
     光强均匀性Beam Uniformity::
        --<±1% over 2” 区域
        --<±2% over 4” 区域
        --<±3% over 6” 区域
     接触式样曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um
     接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV):  0.5  um
     支持接近式曝光,特征尺寸CD:
        --0.8um  硬接触
        --1um    20 um 间距时
        --2um    50um 间距时
     正面对准精度±0.5um
     支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻,特征尺寸:100um-300um
     支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
    支持真空、接近式、接触式曝光
      支持恒定光强或恒定功率模式

    ABM公司在世界范围售出了500多台光刻机,50多台单独曝光系统。著名的客户包括美国航天局NASA和INTEL、哈佛大学、LG、美国海军实验室、菲利普、惠普、3M等,ABM在中国各地也拥有不同领域的客户,包括众多的工厂、知名大学和研究所等。