氧化硅片
二氧化硅片（silicon oxide wafer）是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜，用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化
二氧化硅片是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜，用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化。可提供硅片单面/双面抛光、减薄、切割、MEMS等加工和定制服务。如果您有硅片需求，请与我们进一步沟通。
氧化硅片产品规格参数：
直径（Diameter） | 2"-8” |
掺杂（Dopant） | N（P、As、Sb），P（B） |
晶向（Orientations） | （100），（110），（111） |
总厚度（Thickness） | 250 - 600 μm，可按客户要求定制 |
氧化层厚度 | 50nm ~ 2000nm（常规100nm，200nm，300nm，500nm，1000nm）可按客户要求定制 |
电阻率（Resistivity） | 0.001-50(Ω•cm) ，可按客户要求定制 |
平整度（TIR） | ＜3μm |
翘曲度（TTV） | <10μm |
弯曲度（BOW） | <10μm |
表面粗糙度（Surface Roughness） | <0.5nm |
表面处理（Surface Finish） | 单抛/双抛/研磨 |
注：如在以上产品规格中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息，敬请联系我们！