氧化硅片
二氧化硅片(silicon oxide wafer)是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜,用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化
二氧化硅片(silicon oxide wafer)是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜,用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化
二氧化硅片是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜,用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化。可提供硅片单面/双面抛光、减薄、切割、MEMS等加工和定制服务。如果您有硅片需求,请与我们进一步沟通。
氧化硅片产品规格参数:
直径(Diameter) | 2"-8” |
掺杂(Dopant) | N(P、As、Sb),P(B) |
晶向(Orientations) | (100),(110),(111) |
总厚度(Thickness) | 250 - 600 μm,可按客户要求定制 |
氧化层厚度 | 50nm ~ 2000nm(常规100nm,200nm,300nm,500nm,1000nm)可按客户要求定制 |
电阻率(Resistivity) | 0.001-50(Ω•cm) ,可按客户要求定制 |
平整度(TIR) | <3μm |
翘曲度(TTV) | <10μm |
弯曲度(BOW) | <10μm |
表面粗糙度(Surface Roughness) | <0.5nm |
表面处理(Surface Finish) | 单抛/双抛/研磨 |
注:如在以上产品规格中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息,敬请联系我们!