氮化硅片
氮化硅是指在硅片表面存在一层氮化硅层，氮化层的厚度、低应力根据用户需求而定制
单晶氮化硅的理论导热率可达400W/(m·K)，热膨胀系数为3.0X10^(-6)左右，与Si,SiC,和GaAs等材料匹配良好，这使得氮化硅陶瓷将成为一种极具有吸引力的高强度高导热电子器件基板材料。氮化硅是指在硅片表面存在一层氮化硅层，氮化层的厚度根据用户需求而定制。
氮化硅晶片产品规格参数：
直径（Diameter） | 2"- 8" |
氮化层厚度（Si3N4 Thickness） | 100-500nm |
洛氏硬度（Vickers hardness） | ＞90HRA |
耐热冲击性 | ＞500℃ |
热导率（Thermal conductivity） | 20-25W.(m.K)-1 |
介电常数（relative permittivity） | 8-9 |
表面处理（Surface Finish） | 毛胚，单抛，双抛，研磨 |
注：如在以上产品规格中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息，敬请联系我们！