SOI绝缘硅片

SOI（Silicon on Insulator）是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。

SOI圆片主要有以下特点：

1.提高运行速度

在特定的电压下，建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%，这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。

2.降低能量损耗

SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特别适用于对能量消耗比较高的领域。

3.改进运行性能

SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温，对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。

4.减小封装尺寸

SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。

1、直径4～8英寸   

2、SOI(Bonding)键合型SOI，通常对应顶层硅厚度1um 以上的SOI,（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）

     是把2片生长了氧化层的硅片键合在一起，氧化层成为埋氧层。其中一个硅片腐蚀抛光减薄成为器件的薄硅膜 ，

     另一个硅片作为支撑的衬底。离子注入型SOI,对应通常对应顶层硅厚度1um 以下的SOI，例如顶层硅在220nm，

     340nm等，用户需定义顶层硅、氧化硅、体硅这三种材料的参数。

SOI绝缘硅片产品规格参数