SOI绝缘硅片
SOI绝缘硅片直径4~8英寸
SOI绝缘硅片直径4~8英寸
SOI(Silicon on Insulator)是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。
SOI圆片主要有以下特点:
1.提高运行速度
在特定的电压下,建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%,这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。
2.降低能量损耗
SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗,特别适用于对能量消耗比较高的领域。
3.改进运行性能
SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温,对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。
4.减小封装尺寸
SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。
1、直径4~8英寸
2、SOI(Bonding)键合型SOI,通常对应顶层硅厚度1um 以上的SOI,(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)
是把2片生长了氧化层的硅片键合在一起,氧化层成为埋氧层。其中一个硅片腐蚀抛光减薄成为器件的薄硅膜 ,
另一个硅片作为支撑的衬底。离子注入型SOI,对应通常对应顶层硅厚度1um 以下的SOI,例如顶层硅在220nm,
340nm等,用户需定义顶层硅、氧化硅、体硅这三种材料的参数。
SOI绝缘硅片产品规格参数
直径(Diameter)(mm) | 76.2、100、125、150、200 |
器件层厚度(Device Thickness) | 100 nm - 200 µm |
埋氧层厚度(Oxide Layer Thickness) | 100 nm - 10 µm |
基底厚度(Handle Wafer Thickness) | 300 µm- 775 µm |
粘接方式(Bonding Methods) | 直接键合、外 |
掺杂类型(Dopants) | N-Type/P-Type |
总厚度偏差(TTV)(µm ) | <3 |
电阻率(Resistivity ) | 根据客户需求定制 |